长鑫存储被曝进军 NAND 闪存市场 新厂拟建研发生产线

　　9月18日，据路透社援引三位知情人士消息，长鑫存储正计划进入需求快速攀升的闪存（flash memory）市场。知情人士称，长鑫存储拟在北京新建工厂内建设一条用于 NAND 闪存研发的生产线。同时，该公司已在北京设立研发机构，相关研发项目涉及 NAND 技术开发。

　　据称长鑫存储已围绕 NAND 业务规划与客户展开接触，其中包括一家新成立的初创企业。该企业计划采购长鑫存储的 NAND 芯片，用于人工智能系统及超级计算机存储产品的研发与部署。

　　TrendForce 集邦咨询数据显示，按营收口径计算，2026年第二季度三星电子以29.3%的市场份额位居全球闪存市场第一，SK海力士排名第二，美光紧随其后。

　　在 DRAM 业务方面，长鑫存储2026年第二季度营收达到146.24亿美元（按当前汇率约合983亿元人民币），环比增长99.3%;其市占率从2026年第一季度的7.6%提升至9.5%。